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                      單晶硅片生產加工流程:

                      切斷—外徑滾磨—端面磨削、拋光—切片、倒角—研磨—腐蝕—拋光—清洗。

                      切斷:目的是為了獲得客戶所要求的產品尺寸。主要使用硅片超薄切割片,可以有效節約材料。

                      外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大,通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 

                      端面磨削:單晶硅捧四方切割后的端面粗糙,需要端面的磨削和拋光。我公司生產的硅片減薄砂輪生產效率高、精度高。(了解更多硅片減薄砂輪的信息)

                      切片:指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。主要使用硅片超薄切割片,可以有效節約材料。(了解更多硅片超薄切割片的信息)

                      倒角:指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形,防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。 

                      研磨:指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光過程可以處理的規格。 最常使用的設備是雙端面研磨機,配套使用雙端面磨盤,具有效率高、精度高、壽命長的優點。(了解更多雙端面磨盤的信息)

                      腐蝕:指經切片及研磨等機械加工后,晶片表面受加工應力而形成的損傷層,通常采用化學腐蝕去除。

                      腐蝕的方式:

                      (A)酸性腐蝕,是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸(HNO3),氫氟酸(HF),及一些緩沖酸(CH3COCH,H3PO4)組成。 

                      (B)堿性腐蝕,堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 

                      拋光:指單晶硅片表面需要改善微缺陷,從而獲得高平坦度晶片的拋光。

                      清洗:在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗,這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 

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